IS43R16320E-6BI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Deutsch
Artikelnummer: | IS43R16320E-6BI |
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Hersteller / Marke: | Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) |
Teil der Beschreibung.: | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | 15ns |
Spannungsversorgung | 2.3V ~ 2.7V |
Technologie | SDRAM - DDR |
Supplier Device-Gehäuse | 60-TFBGA (8x13) |
Serie | - |
Verpackung / Gehäuse | 60-TFBGA |
Paket | Tray |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Speichertyp | Volatile |
Speichergröße | 512Mbit |
Speicherorganisation | 32M x 16 |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Speicherformat | DRAM |
Uhrfrequenz | 166 MHz |
Grundproduktnummer | IS43R16320 |
Zugriffszeit | 700 ps |
IS43R16320E-6BI Einzelheiten PDF [English] | IS43R16320E-6BI PDF - EN.pdf |
IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 166MHz,
IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 166MHz,
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TFBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 200MHz,
IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 200MHz,
IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() IS43R16320E-6BIISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
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